提起金属相较于半导体电子浓度大吗，大家都知道，有人问N型半导体与金属中谁的自由电子多？另外，还有人想问为什么金属的导电性比半导体好，你知道这是怎么回事？其实金属电子浓度是半导体的多少倍？下面就一起来看看N型半导体能否等同一般带自由电子的导体(比如一般金属），希望能够帮助到大家！
金属相较于半导体电子浓度大吗
如果你对电阻要求不高，高掺杂的半导体是可以作为导体用的。对过你希望电阻尽量小，则不可以代替。
通常金属的电子浓度比半导体大的多。半导体的电子浓度只有10的20次方，就到头了。金属电子浓度可以超过10的22次方。因此，即使高掺杂的半导体的电阻还是要大于金属的电阻。
另外，半导体的电阻对温度的性要比金属大很多。
最后，如果你把两个金属接在一起，通常也会有不错的导电性，接触电阻不会太大，但是如果把金属和半导体接在一起，就要考虑是否会变成肖特基接触了。
金属相较于半导体电子浓度大吗：N型半导体与金属中谁的自由电子多？
当然是金属中的自由电子多。
在纯净的硅晶体中掺入Ⅴ族元素（如磷、砷、锑等），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。这类杂质提供了带负电（Negative）的电子载流子，称他们为施主杂质或n型杂质。在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电，由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。
该半导体中，是由掺入的V族元素改变原硅晶体的原子结构，提供自由电子。
而金属中每个原子都能够提供自由电子。
金属相较于半导体电子浓度大吗：为什么金属的导电性比半导体好
半导体中电子与空穴统称载流子，将纯净的半导体制作成单晶体，即为本征半导体。在室温下，SI硅的本征载流子浓度为1.4310^^-3,GE为2.3810^^-3,另外，SI的原子密度为5×10^22/cm^3,GE为4.4×10^22/cm^3.相比之下，只有极少数原子的价电子受激发产生电子空穴对。综上，本征半导体的导电能力是很弱的。一般通过工艺参杂，来提高载流子浓度。
可参考模拟电路中的知识。更深的有半导体物理
金属相较于半导体电子浓度大吗：金属电子浓度是半导体的多少倍？
其实半导体与导体之间没有准确的区别定义，是渐变的。一般情况下。金属电子浓度为半导体的5倍以上。
导体和半导体区别
一、概念不同
1、导体
导体（conctor）是指电阻率很小且易于传导电流的物质。导体中存在大量可自由移动的带电粒子称为载流子。在外电场作用下，载流子作定向运动，形成明显的电流。
金属电子浓度是半导体的多少倍？
2、半导体
半导体（semiconctor），指常温下导电性能介于导体（conctor）与绝缘体（insulator）之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。
二、分类不同
1、导体
1）第一类导体
金属是最常见的一类导体。金属中的原子核和内层电子构成原子实，规则地排列成点阵，而外层的价电子容易挣脱原子核的束缚而成为自由电子，它们构成导电的载流子。
2）第导体
电解质的溶液或称为电解液的熔融电解质也是导体，其载流子是正负离子。实验发现，大部分纯液体虽然也能离解，但离解程度很小，因而不是导体。
3）其他导电介质
电的绝缘体又称为电介质。它们的电阻率极高，比金属的电阻率大倍以上。绝缘体在某些外界条件（如加热、加高压等）影响下，会被“击穿”，而转化为导体。绝缘体或电介质的主要电学性质反映在电导、极化、损耗和击穿等过程中。
2、半导体
半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体；半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族（、磷化镓等）、第Ⅱ和第Ⅵ族（、硫化锌等）、氧（锰、铬、铁、铜的氧）。
以及由Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。
三、特性不同
1、导体
1）热敏特性
半导体的电阻率随温度变化会发生明显地改变。
2）光敏特性
半导体的电阻率对光的变化十分。有光照时、电阻率很小；无光照时，电阻率很大。
3）掺杂特性
在纯净的半导体中，掺人极微量的杂质元素，就会使它的电阻率发生极大的变化。
2、半导体
半导体特性∶掺杂性，热敏性，光敏性，负电阻率温度特性，整流特性。
1）在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性。
2）在光照和热辐射条件下，其导电性有明显的变化。
以上就是与N型半导体能否等同一般带自由电子的导体(比如一般金属）相关内容，是关于N型半导体与金属中谁的自由电子多？的分享。看完金属相较于半导体电子浓度大吗后，希望这对大家有所帮助！